【資料圖】
1、Vgs是柵極相對于源極的電壓。
2、與NMOS一樣，導(dǎo)通的PMOS的工作區(qū)域也分為非飽和區(qū)，臨界飽和點(diǎn)和飽和區(qū)。
3、當(dāng)然，不論NMOS還是PMOS，當(dāng)未形成反型溝道時，都處于截止區(qū)，其電壓條件是：|VGS|>|VTP (PMOS)|，值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是負(fù)值。
4、PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。
5、PMOS集成電路采用-24V電壓供電。
6、MOS場效應(yīng)晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規(guī)模大的集成電路。
7、擴(kuò)展資料PMOS工作原理——因?yàn)镻MOS是N型硅襯底，其中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負(fù)電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負(fù)電荷電子，而在襯底感應(yīng)的是可運(yùn)動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層。
8、當(dāng)達(dá)到強(qiáng)反型時，在相對于源端為負(fù)的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經(jīng)過導(dǎo)通的P型溝道到達(dá)漏端，形成從源到漏的源漏電流。
9、同樣地，VGS越負(fù)(絕對值越大)，溝道的導(dǎo)通電阻越小，電流的數(shù)值越大。
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