1、肖特基勢(shì)壘二極管SBD（Schottky Barrier Diode，簡(jiǎn)稱肖特基二極管）是近年來(lái)間世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。
2、其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流電流卻可達(dá)到幾千安培。
(資料圖)
3、這些優(yōu)良特性是快恢復(fù)二極管所無(wú)法比擬的。
4、中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。
5、一、肖特基二極管原理 肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的多屬-半導(dǎo)體器件。
6、因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。
7、顯然，金屬A中沒(méi)有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。
8、隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度表面逐漸降輕工業(yè)部，表面電中性被破壞，于是就形成勢(shì)壘，其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A。
9、但在該電場(chǎng)作用之下，A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場(chǎng)。
10、當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢(shì)壘。
11、 典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是以N型半導(dǎo)體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。
12、陽(yáng)極（阻檔層）金屬材料是鉬。
13、二氧化硅（SiO2）用來(lái)消除邊緣區(qū)域的電場(chǎng)，提高管子的耐壓值。
14、N型基片具有很小的通態(tài)電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。
15、在基片下邊形成N+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。
16、通過(guò)調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，可在基片與陽(yáng)極金屬之間形成合適的肖特基勢(shì)壘，當(dāng)加上正偏壓E時(shí)，金屬A和N型基片B分別接電源的正、負(fù)極，此時(shí)勢(shì)壘寬度Wo變窄。
17、加負(fù)偏壓-E時(shí)，勢(shì)壘寬度就增加。
18、 綜上所述，肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管，而把金屬-半導(dǎo)管整流管叫作肖特基整流管，近年來(lái)，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問(wèn)世，這不僅可節(jié)省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數(shù)的一致性。
19、 肖特基整流管僅用一種載流子（電子）輸送電荷，在勢(shì)壘外側(cè)無(wú)過(guò)剩少數(shù)載流子的積累，因此，不存在電荷儲(chǔ)存問(wèn)題（Qrr→0），使開(kāi)關(guān)特性獲得時(shí)顯改善。
20、其反向恢復(fù)時(shí)間已能縮短到10ns以內(nèi)。
21、但它的反向耐壓值較低，一般不超過(guò)去時(shí)100V。
22、因此適宜在低壓、大電流情況下工作。
23、利用其低壓降這特點(diǎn)，能提高低壓、大電流整流（或續(xù)流）電路的效率。
24、 二、肖特基二極管的結(jié)構(gòu) 肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽(yáng)極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場(chǎng)消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、N+陰極層及陰極金屬等構(gòu)成，如圖4-44所示。
25、在N型基片和陽(yáng)極金屬之間形成肖特基勢(shì)壘。
26、當(dāng)在肖特基勢(shì)壘兩端加上正向偏壓（陽(yáng)極金屬接電源正極，N型基片接電源負(fù)極）時(shí)，肖特基勢(shì)壘層變窄，其內(nèi)阻變小；反之，若在肖特基勢(shì)壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢(shì)壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。
27、 肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。
28、 采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護(hù)二極管使用。
29、它有單管式和對(duì)管（雙二極管）式兩種封裝形式，如圖4-45所示。
30、 肖特基對(duì)管又有共陰（兩管的負(fù)極相連）、共陽(yáng)（兩管的正極相連）和串聯(lián)（一只二極管的正極接另一只二極管的負(fù)極）三種管腳引出方式，見(jiàn)圖4-46。
31、 采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式。
32、三、肖特基二極管的檢測(cè) 肖特基（Schottky）二極管也稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱SBD），它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。
33、 1．性能比較 肖特基二極管現(xiàn)超快恢復(fù)二極管、快恢復(fù)二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開(kāi)關(guān)二極管的性能比較。
34、由表可見(jiàn)，硅高速開(kāi)關(guān)二極管的trr雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。
35、 2．檢測(cè)方法 下面通過(guò)一個(gè)實(shí)例來(lái)介紹檢測(cè)肖特基二極管的方法。
36、檢測(cè)內(nèi)容包括：①識(shí)別電極；②檢查管子的單向?qū)щ娦裕虎蹨y(cè)正向?qū)航礦F；④測(cè)量反向擊穿電壓VBR。
37、被測(cè)管為B82-004型肖特基管，共有三個(gè)管腳，外形如圖4所示，將管腳按照從左至右順序編上序號(hào)①、②、③。
38、選擇500型萬(wàn)用表的R×1檔進(jìn)行測(cè)量。
39、 測(cè)試結(jié)論： 第一，根據(jù)①?②、③?④間均可測(cè)出正向電阻，判定被測(cè)管為共陰對(duì)管，①、③腳為兩個(gè)陽(yáng)極，②腳為公共陰極。
40、 第二，因①?②、③?②之間的正向電阻只幾歐姆，而反向電阻為無(wú)窮大，故具有單向?qū)щ娦浴?/p>
41、 第三，內(nèi)部?jī)芍恍ぬ鼗O管的正向?qū)▔航捣謩e為0.315V、0.33V，均低于手冊(cè)中給定的最大允許值VFM(0.55V)。
42、 另外使用ZC 25-3型兆歐表和500型萬(wàn)用表的250VDC檔測(cè)出，內(nèi)部?jī)晒艿姆聪驌舸╇妷篤BR依次為140V、135V。
43、查手冊(cè)，B82-004的最高反向工作電壓（即反向峰值電壓）VBR=40V。
44、表明留有較高的安全系數(shù). 四、常用的肖特基二極管主要參數(shù)常用的有引線式肖特基二極管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型號(hào)，各管的主要參數(shù)見(jiàn)表4-43。
45、 常用的表面封裝肖特基二極管有FB系列，其主要參數(shù)見(jiàn)表4-44。
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